FT-CZ1200Si

硅部件級單晶爐

拉晶過程全程自動化

在惰性氣體環(huán)境中，用石墨加熱器將硅材料熔化，

用直拉法生長無位錯單晶的設(shè)備。

 

性能優(yōu)勢

 大直徑設(shè)計結(jié)構(gòu)：匹配大直徑單晶硅棒生長所需空間。

可采用連續(xù)加料裝置。

采用超低碳不銹鋼材料，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。

8英寸硅部件級單晶爐
型號  FT-CZ1200Si
場所 周圍溫度 15 ~ 30℃
周圍濕度 ≤65%（無結(jié)露，腐蝕氣體）
潔凈度 一般環(huán)境水平
噪音 ≤75db
地基 3000kg/㎡以上
電源 額定電壓 380VAC±10%, 3P, 50/60Hz
額定電容 320kVA
額定流量 500A
冷卻水 流量范圍 350~400L/min
供給壓力 0.3~0.5MPa
重量 設(shè)備高度 ＜8250mm                                                                            △    
設(shè)備重量 約10T

 

 

△ 項數(shù)據(jù)視上爐筒高度而定，本設(shè)備數(shù)據(jù)不含磁場。

全國熱線

021-36162928

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